隧穿磁电阻比率测量仪

收费标准: 1600/(测试点)(元/样品) 10000(元/小时)
仪器编号: 02011000004
产地: 荷兰
启用日期: 2018-03-01
设备类别: 专用

 所属单位

北京航空航天大学青岛研究院
好评率:
联系人: 赵戬
电   话: 18561909566
邮   编: 266100
地   址: 山东省青岛市崂山区松岭路393号北航青岛研究院
邮   箱: zhaoj@bhqditi.com
生产制造商 荷兰
仪器设备来源 购置
英文名称 不可简写(最多100字)
原值(万元) 450.0
规格型号 NA
设备分类编码 物理性能测试仪器-其他-其他
运行状态 正常
海关监管情况
共享模式 外部共享
所属大型科学装置/仪器中心/服务单元
主要学科领域 物理学-电磁学
主要技术指标 1、最大能测量12寸晶圆 2、能实现X轴移动和360旋转 3、垂直磁场测量范围为±550mT/±480kA/m,均匀性<0.5%,分辨率<0.1% 4、水平磁场测量范围为±170mT/±148kA/m,均匀性<1%,分辨率<1% 5、配套有nano、narrow、standard、wide四种类型的针 6、电源:200-230V,50-60Hz;最大电流:8A@200V,7A@230V
主要功能 SmartProber P1隧穿磁比率测量仪是用于实验室及工业级的磁性多层薄膜的测试系统。以TMR隧穿模型为基础,探针配有12个间距不等的引脚,从而测量得出薄膜的顶电极和底电极方阻,拟合出薄膜的RA和TMR值。
服务内容 1. 测量TMR磁性薄膜的RA及MR值 2. 测量薄膜的Rs-H曲线
对外开放
共享规定
1、测试样品需为均匀磁性膜堆(基于硅或其他衬底),最大可测12英寸晶圆。 2、测试样品顶层必须导电性良好,不得有氧化层,否则无法测量,且极易损坏探针。 3、测试前应向设备负责人提供表面粗糙度、膜层结构(粗略结构即可)、顶层材料及厚度、测试要求(待测内容、待测点数、测试点分布情况)等信息。
服务的典型成果
仪器浏览量 166(浏览量自2019年2月19日起计量)